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DRAM內存速度快、延遲低，但是掉電就會(huì )丟失數據，機械、固態(tài)存儲則正好相反，所以一直以來(lái)都是涇渭分明，而現在，有一種技術(shù)意欲通吃?xún)纱箢I(lǐng)域，這就是Intel 3D XPoint。

這是一種基于電阻的非易失性?xún)却娲鎯Ψ桨�，讀取延遲10納秒級別，使用壽命即全盤(pán)寫(xiě)入1000萬(wàn)次級別，均介于傳統DRAM、NAND之間。它的定位并不是取代DRAM和/或NAND，而是在它們之外的補充。

非易失性技術(shù)方案很多，Intel 3D XPoint是第一個(gè)完整成熟起來(lái)并快速投入商用化的。IDF 2015峰會(huì )上，Intel昨天已經(jīng)宣布了基于該技術(shù)的Optane固態(tài)硬盤(pán)，將會(huì )從今年底開(kāi)始陸續進(jìn)入數據中心和筆記本，提供M.2、U.2、PCI-E等多種規格，比傳統固態(tài)硬盤(pán)快足足5-7倍，更具體的規格將在稍后公布。

今天，Intel又宣布了同樣基于3D XPoint技術(shù)的DIMM內存條，號稱(chēng)可比傳統DDR內存提供最多4倍的高容量、最低1/2的成本，而且接口和電氣特性兼容現有DDR4，可平滑過(guò)渡。

這也是歷史上第一次將非易失性技術(shù)應用于系統主內存。

3D XPoint DIMM內存主要面向數據中心、大數據分析，具體發(fā)布時(shí)間未公布。

以后，我們的內存、硬盤(pán)都可以是同一種介質(zhì)了。