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2020年2月10日，北京——西部數據公司 (NASDAQ: WDC)日前宣布已成功開(kāi)發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來(lái)鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構建而成，以有競爭力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在車(chē)聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)設備和人工智能等相關(guān)數據呈現指數級增長(cháng)的當下，BiCS5成為了理想的選擇。

基于512 Gb的 BiCS5 TLC，西部數據目前已成功在消費級產(chǎn)品實(shí)現量產(chǎn)出貨。預計到2020下半年，BiCS5將投入大規模量產(chǎn)。西部數據將推出一系列容量可選的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC，其中包括1.33 Tb。

西部數據存儲技術(shù)與制造部門(mén)高級副總裁Steve Paak表示：“隨著(zhù)又一個(gè)十年的到來(lái)，新的3D NAND演進(jìn)對于繼續滿(mǎn)足數據量的不斷增長(cháng)和性能的需求都至關(guān)重要。BiCS5的成功生產(chǎn)體現了西部數據在閃存技術(shù)方面的持續領(lǐng)導地位，以及對長(cháng)期路標的高效執行力。通過(guò)利用多層存儲孔技術(shù)來(lái)提高存儲密度增加存儲的層數，我們顯著(zhù)提高了3D NAND的容量和性能，從而不斷滿(mǎn)足用戶(hù)期待的高可靠性和低成本�！�

BiCS5采用了廣泛的新技術(shù)和創(chuàng )新的制造工藝，是西部數據迄今為止最高密度、最先進(jìn)的3D NAND。第二代多層存儲孔技術(shù)、改進(jìn)的制造工藝流程以及其他3D NAND單元的增強功能，顯著(zhù)提高了整個(gè)晶圓水平面單元的陣列密度。這些“橫向擴展”技術(shù)與112層垂直存儲能力相結合，使BiCS5相比于西部數據上一代的96層BiCS4技術(shù)，其每片晶圓的存儲容量提高了40%以上，同時(shí)優(yōu)化了成本。新的設計改進(jìn)還提高了性能，使得BiCS5的I/O性能比BiCS4提升了50%。

BiCS5是與其技術(shù)和制造伙伴鎧俠株式會(huì )社（Kioxia Corporation）共同研發(fā)，將會(huì )在日本三重縣四日市和日本巖手縣北上市的合資工廠(chǎng)生產(chǎn)。

依托BiCS5技術(shù)，西部數據將推出基于3D NAND技術(shù)的個(gè)人電子產(chǎn)品、智能手機、IoT設備和數據中心等全方位系列產(chǎn)品。